Компания GlobalFoundries получила $35 миллионов федерального финансирования от правительства США для ускорения производства кремния-на-галлиевом азоте полупроводниковых ИС в своем заводе в Эссекс-Джанкшн, Вермонт. С этим финансированием GlobalFoundries планирует приобрести дополнительное оборудование для расширения возможностей разработки и прототипирования, приближаясь к масштабному производству полупроводниковых элементов GaN-on-silicon диаметром 200 мм. Также компания планирует внедрить новые возможности для устранения ограничений, связанных с поставкой галлия, улучшения скорости разработки, гарантированности поставок и конкурентоспособности американских чипов GaN. Это финансирование продолжает многолетнее сотрудничество с правительством США и использует опыт команды GlobalFoundries в Вермонте в производстве полупроводников диаметром 200 мм, применяя его для производства GaN-on-silicon. Компания также отмечает, что технология GaN-on-silicon является идеальной для высокочастотных радиоэлектронных устройств, высоковольтного управления и управления мощностью в различных отраслях.
Читать полную новость на сайте
/cloudfront-us-east-2.images.arcpublishing.com/reuters/VXOKSU5CDNOQNLM4PYHH323FPQ.jpg "Юристы ЕС против предупреждения Amazon о сделке с iRobot – источники")
/cloudfront-us-east-2.images.arcpublishing.com/reuters/OK2ZQDT7SVJ2RND7QFNG3TWVOY.jpg "Snap не соответствует ожиданиям по доходам, предупреждает о прогнозах на второй квартал")
