22 сентября 2022 г.
Поставщик силовых полупроводниковых интегральных схем onsemi из Феникса, штат Аризона, США, открыл свой завод по производству расширенного карбида кремния (SiC) в Рожнове, Чешская Республика, на церемонии разрезания ленточки под руководством начальника отдела Министерства промышленности и торговли Збинека Покорного, губернатора Злинского края Радима. Холиш и мэр города Йиржи Павлица, а также другие высокопоставленные лица местного самоуправления.
Начиная с 2019 года, onsemi добавила производство полированных пластин SiC и эпитаксиальных пластин SiC к существующему производству кремниевых полированных и эпитаксиальных пластин и штампов в Рожнове. В 2021 году началось строительство нового здания, переросшего первоначальную площадку, для дальнейшего расширения производства пластин и карбидокремниевых эпитаксиальных пластин. В течение следующих двух лет это расширение увеличит производственные мощности SiC на площадке в 16 раз и создаст 200 рабочих мест к концу 2024 года. На данный момент onsemi инвестировала более 150 млн долларов в площадку в Рожнове и планирует инвестировать дополнительно 300 млн долларов через 2023. Компания onsemi недавно была награждена премией Ассоциации иностранных инвестиций (AFI) за значительный вклад в области инвестиций за свои инвестиции SiC в Чешской Республике.
«Вместе с расширением нашего производства SiC boule в Гудзоне, штат Нью-Гемпшир, эти расширенные производственные мощности SiC позволяют Onsemi предоставлять клиентам критически важные гарантии поставок для удовлетворения быстро растущего спроса на решения на основе SiC», — говорит Саймон Китон, исполнительный вице-президент и генеральный менеджер Power. Группа решений в Онсеми. «Полный контроль над нашей производственной цепочкой поставок карбида кремния и лидирующая на рынке эффективность наших продуктов подчеркивают прогресс onsemi».
onsemi расширяет производство карбида кремния в Нью-Гемпшире
Онсеми Рознов получает награду Злинского края за инновации в области производства
onsemi завершает приобретение GTAT
