1 декабря 2022 г.
Компания STMicroelectronics из Женевы, Швейцария, и производитель инженерных подложек Soitec из Бернина, недалеко от Гренобля, Франция, объявили о следующем этапе своего сотрудничества в области подложек из карбида кремния (SiC), при этом квалификация технологии подложек Soitec SiC компанией ST запланирована в течение следующих 18 месяцев. Целью является внедрение компанией ST технологии SmartSiC компании Soitec для будущего производства 200-миллиметровых подложек, что обеспечит ее производство устройств и модулей, а массовое производство ожидается в среднесрочной перспективе.
SmartSiC — это запатентованная технология Soitec, в которой используется запатентованная технология Soitec SmartCut для разделения тонкого слоя высококачественной донорной пластины SiC и приклеивания его поверх пластины из поликарбида кремния с низким удельным сопротивлением. Затем инженерная подложка улучшает производительность устройства и производительность. Донорская пластина SiC высшего качества может использоваться многократно, что значительно снижает общее потребление энергии, необходимое для ее производства.
По сравнению с кремнием внутренние свойства карбида кремния обеспечивают превосходную производительность и эффективность, обеспечивая более эффективное преобразование энергии, более легкие и компактные конструкции, а также общую экономию затрат на проектирование системы — все ключевые параметры и факторы в быстрорастущих силовых приложениях, таких как электрическая мобильность и промышленные процессы. Переход от пластин размером 150 мм к пластинам 200 мм позволит существенно увеличить производительность, почти вдвое увеличив полезную площадь для производства интегральных схем, обеспечивая в 1,8–1,9 раза больше рабочих чипов на пластину.
«Переход на 200-миллиметровые пластины SiC принесет существенные преимущества нашим клиентам в автомобильной и промышленной сфере, поскольку они ускорят переход к электрификации своих систем и продуктов. Это важно для обеспечения экономии за счет масштаба по мере роста объемов продукции», — говорит Марко Монти, президент Automotive and Discrete Group, STMicroelectronics. «Мы выбрали вертикально интегрированную модель, чтобы максимизировать наши ноу-хау по всей производственной цепочке, от высококачественных подложек до крупномасштабного производства переднего и заднего конца. Целью технологического сотрудничества с Soitec является дальнейшее повышение производительности и качества нашего производства», — добавляет он.
«Автомобильная промышленность сталкивается с серьезными проблемами с появлением электромобилей. Наша передовая технология SmartSiC, которая адаптирует наш уникальный процесс SmartCut к полупроводникам из карбида кремния, сыграет ключевую роль в ускорении их внедрения», — считает главный операционный директор Soitec Бернард Аспар. «Сочетание подложек Soitec SmartSiC с ведущей в отрасли технологией карбида кремния и опытом STMicroelectronics меняет правила игры в производстве автомобильных микросхем и устанавливает новые стандарты».
ST построит завод по производству карбидокремниевых пластин стоимостью 730 млн евро в Катании, Италия
Soitec расширяет производство пластин SmartSiC для электромобилей и промышленных рынков
ST производит свои первые 200-миллиметровые пластины из карбида кремния
