По словам исследователей CEA-Leti, электроны и другие носители заряда могут двигаться быстрее в германиевом олове, чем в кремнии или германии, что обеспечивает более низкое рабочее напряжение и меньшую занимаемую площадь в вертикальном положении, чем в планарных устройствах.
Этот концептуальный прорыв означает, что вертикальные транзисторы, изготовленные из германиевого олова, являются многообещающими кандидатами на будущие маломощные, высокопроизводительные чипы и, возможно, квантовые компьютеры.
Транзисторы из германия и олова демонстрируют подвижность электронов в 2,5 раза выше, чем у сопоставимых транзисторов из чистого германия.
В остальном GeSn совместим с существующим КМОП-процессом изготовления микросхем. Поскольку германий и олово принадлежат к той же периодической таблице, что и кремний, эти транзисторы можно интегрировать непосредственно в обычные кремниевые чипы на существующих производственных линиях.
«Помимо их беспрецедентных электрооптических свойств, основным преимуществом бинарных элементов GeSn является также то, что их можно выращивать в тех же реакторах для эпитаксии, что и сплавы Si и SiGe, что позволяет создать оптоэлектронную полупроводниковую платформу для всех групп IV, которую можно монолитно интегрировать в Si», — сообщает ЦЭА-Лети.
В работе также участвовали ученые из ForschungsZentrum Jülich, Германия; Университет Лидса, Соединенное Королевство; IHP-Innovations for High Performance Microelectronics, Франкфурт-на-Одере, Германия, и Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена, Германия.
Читать полную новость на сайте
