Flosfia планирует начать массовое производство PMIC Ga2O3

40

Flosfia утверждает, что эти устройства из оксида галлия снижают потери мощности на 70% по сравнению с существующими устройствами и могут снизить энергопотребление электромобиля на 10%.

Flosfia надеется использовать японские литейные заводы для производства нескольких сотен тысяч устройств в месяц к лету 2023 года и продаж в размере 732 миллионов долларов к 2030 году.

Устройства будут продаваться производителям автозапчастей.

-->
-->


Оксид галлия (Ga2О3) состоит из пяти различных фаз, причем ее α-фаза (имеющая кристаллическую структуру корунда) обладает наиболее привлекательными свойствами материала.

Обладая широкой запрещенной зоной 5,3 эВ и высокой напряженностью поля электрического пробоя, α-Ga2О3 могут лучше выдерживать высоковольтные приложения, что позволяет заменить существующие силовые полупроводники из кремния и карбида кремния (SiC).

Киотский университет продемонстрировал первый монокристаллический рост α-Ga.2О3 на сапфире в 2008 г. В 2015 г. α-Ga2О3 Диод с барьером Шоттки (SBD) с низким удельным сопротивлением во включенном состоянии 0,1 мОм·см2 был изготовлен Flosfia..

Flosfia, выделившаяся из Киотского университета в 2011 году, позже запустила инженерный образец α-Ga.2О3 SBD в корпусе TO220.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь