Диод Шоттки SiC 650 В падает на 1,2 В

В этой серии, получившей название TRSxxx65H, по словам компании, был использован новый металл Шоттки, а структура барьера перехода была изменена, чтобы уменьшить электрическое поле по сравнению со 2-м поколением, чтобы уменьшить утечку.

Доступны версии с номинальным максимальным непрерывным током от 2 А до 12 А, семь из них в корпусах ТО-220-2Л и пять в корпусе DFN8×8 для поверхностного монтажа.

При номинальном максимальном токе для каждого устройства типичное прямое напряжение составляет 1,2 В (1,35 В макс.), обычно повышаясь до 1,36 при 150°C.

«Продукты третьего поколения улучшили соотношение между Vf и общим емкостным зарядом, который обычно составляет 17 нКл для TRS6E65H», — сказал Toshiba, описывая версию 6A TO-220. 17 нКл измеряется при 400 В, 25°C, 1 МГц, где емкость составляет 22 пФ.

Тот же TRS6E65H обычно имеет утечку 1,1 мкА при 25°C 650 В (макс. 70 мкА), которая обычно возрастает до 10 мкА при 150°C. Могут выдерживаться неповторяющиеся прямые импульсы до 310 А (10 мкс при 25 °C — 640 А для типов на 12 А) или полусинусоидальный 36 А, 50 Гц при 150 °C.

«Новые устройства специально предназначены для использования в критически важном для эффективности промышленном оборудовании, включая импульсные источники питания, зарядные станции для электромобилей и фотоэлектрические инверторы.

вся серия TRSxxx65H связана с этой страницыи техпаспорт на 6A 650V TRS6E65H можно найти здесь