Устройства на 25В и 30В предназначены для того, чтобы сочетать в себе широкую безопасную рабочую зону (SOA) и низкое сопротивление во включенном состоянии.
«PSMNR67-30YLE ASFET обеспечивает в 2,2 раза большую мощность SOA (12 В при 100 мс), чем предыдущие технологии, при этом максимальное значение Rds(on) составляет всего 0,7 мОм. [Vg=10V]», — сообщает компания. «Эффект Spirito, представленный более крутым нисходящим наклоном на кривых SOA при более высоких напряжениях, был устранен, в то время как производительность сохраняется во всем диапазоне напряжений и температур по сравнению с неоптимизированными устройствами».
Три 25-вольтовых и пять 30-вольтовых МОП-транзисторов, включая указанный выше, были представлены в корпусах LFPAK56 или LFPAK56E с Rds(on) в диапазоне от 0,7 до 2 мОм. Два дополнительных продукта на 25 В находятся в разработке с сопротивлением во включенном состоянии всего 0,5 мОм.
Устройства охарактеризованы при 125°C и снабжены кривыми SOA в горячем состоянии (оставил) в даташитах.
Приложения предусмотрены в серверах центров обработки данных и коммуникационном оборудовании.
Страница продукта PSMNR67-30YLE находится здесьа также его техпаспорт здесь
/cloudfront-us-east-2.images.arcpublishing.com/reuters/VHPGVW5SAZLKZPNANSWXSZNUJY.jpg "Bunge добивается одобрения антимонопольного законодательства для слияния Viterra в ведущих юрисдикциях")
