Память выпускается емкостью до 1 ТБ и поставляется отдельным производителям смартфонов и поставщикам чипсетов.
Это первая мобильная память Micron, созданная на основе 232-слойного процесса TLC.
Это также первая память UFS 4.0, использующая архитектуру NAND с шестью плоскостями, которая обеспечивает более высокую пропускную способность произвольного чтения.
Он обеспечивает скорость последовательного чтения до 4300 МБ/с и скорость последовательной записи до 4000 МБ/с.
Micron тестирует устройства емкостью 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.
Компания начнет массовое производство чипа во втором полугодии.
Читать полную новость на сайте
