Конструкция GaN OBC уменьшает спецификацию и увеличивает удельную мощность по сравнению с SiC

Использование GaN-транзисторов в OBC на 800 В — это инновация, которая придает этой конструкции 11 кВт/800 В преимущество.

OBC сочетает в себе топологию трехуровневого плавающего конденсатора для безмостовой структуры PFC с тотемным полюсом и двойного активного моста в AC/DC и DC/DC соответственно.

Транзисторы GaN с трехуровневой топологией снижают нагрузку напряжения транзистора вдвое и позволяют использовать GaN 650 В в этом и многих других приложениях 800 В.

Ключевые особенности дизайна OBC

• На 36 % выше удельная мощность по сравнению с карбидом кремния
• Пиковая эффективность ступени переменного/постоянного тока>99%, пиковая эффективность ступени постоянного/постоянного тока>98,5%
• Меньшие общие потери мощности в полупроводниках
• Минимальный звон затвора, низкий уровень шума и звона при переключении переходов
• Улучшенные тепловые характеристики за счет использования интерфейса IMS

Силовые полупроводники GaN повышают эффективность OBC за счет снижения коммутационных потерь и рассеиваемой мощности во время работы.

Эта повышенная эффективность снижает потери мощности во время зарядки электромобиля, делая OBC значительно более энергоэффективным и экономичным.

Например, более высокая эффективность решения снижает сложность и стоимость конструкции системы охлаждения. Компактная и высокоэффективная конструкция помогает уменьшить общий размер и вес OBC, высвобождая пространство и вес, которые можно распределить на другие части конструкции электромобиля.

Для получения дополнительной информации см. здесь.