Быстро названный AIMBG120R010M1 поставляется в корпусе D2PAK-7L размером 10 x 15 x 4,4 мм (7 выводов TO263) и выдерживает напряжение 1,2 кВ при температуре от -55 до 175 °C. Путь утечки составляет 5,89 мм, что подходит для систем с напряжением 800 В.
Его процесс «Gen1p» был создан для улучшения показателя качества площади RDOn x, и в этом пакете можно достичь Rds(on) 8,7 мОм (затвор 20 В, переход 25°C). Также при 25°C канал может работать с током 205А.
Заявленные потери при переключении на 25% ниже, чем у деталей первого поколения компании — общая энергия переключения составляет 1,56 мДж при 25°C, увеличиваясь до 2,09 мДж при 175°C (предостережения см. в техпаспорте).
Для защиты от ложного включения порог затвора составляет не менее 4 В, а отношение Crss/Ciss (емкость обратной передачи / входная емкость) низкое (16 пФ/5,7 нФ = 0,0028). Заявлено надежное отключение при Vgate=0В «без риска паразитных включений». Это позволяет использовать униполярное управление», — говорится в сообщении infineon, которое подтверждает это, указывая в технических характеристиках «выключенные» характеристики при Vgs=0V.
Чтобы облегчить вождение, рядом с гейтом имеется отдельное соединение с источником Кельвина (названное «чувство»).
Кристалл монтируется с помощью диффузионной пайки (фирменная технология «.XT»), что снижает температуру перехода по сравнению с первым поколением. Тепловое сопротивление перехода MOSFET или диода в корпус обычно составляет 0,13 К/Вт (макс. 0,17 К/Вт).
Что касается внутреннего диода, он рассчитан на коммутацию, если устройство используется в качестве синхронного выпрямителя, и может выдерживать пиковый ток 208 А, а при 25°C — до 176 А непрерывно.
Для условий неправильного использования устройство имеет как защиту от лавин, так и от короткого замыкания.
Найди Страница продукта AIMBG120R010M1 здесь и его техпаспорт здесь
Читать полную новость на сайте
