Yangtze представляет 232-слойную память NAND

499

Yangtze Memory говорит, что у нее 232-слойная память NAND, что ставит ее на тот же технологический уровень, что и Micron и LG, которые на прошлой неделе объявили соответственно о 232-уровневых и 238-уровневых устройствах.

Янцзы называет чип X3-9070, созданным на основе третьего поколения собственной архитектуры Xtacking, и говорит, что он «стал флэш-продуктом с самой высокой битовой плотностью в истории YMTC», не уточняя количество битов, которое он может хранить.

Неясно, на какой стадии находится чип, но он может столкнуться с производственными проблемами — США рассматривают возможность запрета на продажу Китаю производственного оборудования, способного производить чипы с числом слоев выше 128.


Micron заявляет, что уже производит свое 232-слойное устройство. LG заявляет, что запустит свое 238-слойное устройство в первом полугодии 2023 года.

Yangtze, самый успешный из всех китайских стартапов по производству чипов, подключает оборудование к своей фабрике Fab2 с производительностью 200 тыс. слов в минуту, что, как она надеется, даст ей 10% мирового рынка NAND.