21 ноября 2022 г.
Китайская компания Sanan Optoelectronics Co Ltd сообщает, что ее дочерняя компания Hunan Sanan подписала соглашение о закупках (LOI) на поставку чипов из карбида кремния (SiC) на сумму 524 млн долларов США в течение следующих нескольких лет для новой линейки продуктов для электромобилей (NEV). стратегический автомобильный партнер. SiC-технология Hunan Sanan обеспечит энергией энергосистему NEV для платформ среднего и высокого напряжения.
«Наше соглашение с этим стратегическим партнером еще раз демонстрирует стремление автомобильной промышленности предоставить рынку инновационный опыт электрификации и использовать преимущества широкозонных полупроводников для улучшения общих характеристик автомобиля», — говорит генеральный менеджер Hunan Sanan Тони Чанг. «Соглашение гарантирует нашим клиентам долгосрочные поставки карбида кремния, чтобы помочь им реализовать свое обещание в отношении низкоуглеродной и умной мобильности».
Чипы SiC будут производиться на мегафабрике Hunan Sanan в Чанше, первой вертикально интегрированной сервисной платформе по производству пластин SiC в Китае, которая обеспечивает внутреннюю цепочку поставок от кристаллов SiC, подложки, эпитаксии, производства микросхем, упаковки и тестирования, с заявленная годовая производственная мощность составляет 500 000 6-дюймовых пластин SiC. Hunan Sanan недавно получила сертификацию системы IATF 16949, а автомобильные SiC MOSFET были проверены в сотрудничестве со стратегическими партнерами и, как ожидается, будут запущены в производство в 2024 году. Sike Semiconductor, компания, созданная совместно Hunan Sanan и Li Auto. , также официально начала строительство в августе и, как ожидается, начнет производство в 2024 году с запланированной годовой производственной мощностью 2,4 миллиона полумостовых силовых модулей SiC.
Sanan IC совершенствует литейную платформу для широкозонных силовых полупроводников
Sanan IC объявляет о коммерческом выпуске процесса литья 6-дюймовых пластин SiC
