Целью многолетнего проекта является разработка способа переноса слоев двумерного материала, выращенного на подложках толщиной до 300 мм, на вторую подложку для изготовления транзисторов. Intel предоставит производственный опыт, а CEA-Leti обладает знаниями по склеиванию, переносу слоев и характеристикам.
«Из-за температуры роста, превышающей 700°C, и выращивания на предпочтительных подложках 2D-материалы вряд ли можно наносить на стопку в виде тонких слоев, поэтому перенос является наиболее перспективным для их интеграции», — сказал генеральный директор CEA-Leti Себастьен Дове (Sebastien Dauvé, генеральный директор CEA-Leti).фото слева).
МОП-транзисторы субнм
Намерение состоит в том, чтобы создать подложки, с помощью которых можно будет изготавливать многослойные нанолистовые полевые транзисторы с толщиной канала менее 1 нм — одна из технологий, обсуждаемых в качестве преемника CMOS.
«Дихалькогениды переходных металлов на основе молибдена и вольфрама являются многообещающими кандидатами для обеспечения масштабирования полевых МОП-транзисторов», — сообщает CEA-Leti. «Они подходят для высокопроизводительных и маломощных платформ из-за их хорошей транспортировки носителя и мобильности даже для атомарно тонких слоев. Кроме того, толщина корпуса их устройств и умеренная ширина запрещенной зоны приводят к улучшенному электростатическому контролю и, таким образом, к низким токам в выключенном состоянии».
«Материал 2D TMD является многообещающим вариантом для расширения пределов масштабирования транзисторов в будущем», — сказал европейский директор по исследованиям Intel Роберт Чау (Robert Chau).фото справа).
CEA-Leti, основанная в 1967 году, является ведущей в мире лабораторией по исследованию полупроводников, в которой работает 1900 сотрудников в Гренобле. У нее есть офисы в Силиконовой долине и Токио, и она запустила 76 стартапов.
Читать полную новость на сайте
