BluGlass Limited успешно продемонстрировала работающие лазерные диоды с туннельным переходом, впервые в мире доказав свою концепцию, используя свою запатентованную технологию удаленного плазмохимического осаждения из паровой фазы (RPCVD).
В новых прототипах лазерных диодов используется уникальная технология туннельного перехода RPCVD BluGlass, разработанная на протяжении многих лет для использования в мощных продуктах, включая лазерные диоды и светодиоды высокой яркости.
Эти прототипы лазерных диодов с туннельным переходом RPCVD, разработанные для обеспечения более мощных и эффективных лазеров для использования в коммерческих приложениях, таких как 3D-печать и промышленная сварка, продемонстрировали хорошие характеристики генерации. Эта веха помогает подтвердить потенциал конструкции лазерных диодов RPCVD для удовлетворения критических требований к рабочим характеристикам для высокоценных лазерных диодов на нитриде галлия (GaN).
Применение лазерных диодов на основе GaN в промышленности в настоящее время ограничено оптическими и резистивными потерями в магнийсодержащих слоях (слоях p-типа), что приводит к низкой эффективности преобразования, обычно в диапазоне 40-45% по сравнению с примерно 90%. в светодиодах на основе GaN. Почти 50% энергии, потребляемой при работе лазерных диодов на основе GaN, теряется в виде тепла из-за высокоомных слоев p-типа, которые традиционно необходимы для создания электрической цепи в лазерном диоде.
Новый подход BluGlass, основанный на уникальных преимуществах низкотемпературного выращивания RPCVD с низким содержанием водорода, может устранить необходимость в этих высоко резистивных слоях p-типа, которые теряют производительность. Новые конструкции, основанные на RPCVD, заменяют слой оболочки p-типа туннельным переходом RPCVD и вторым слоем оболочки n-типа, называемым двойной n-волновой лазерный диод, открывая путь к значительному улучшению характеристик лазерных диодов в будущем.
Компания продолжит оптимизацию конструкции, эпитаксии и изготовления лазерных диодов с туннельным переходом RPCVD, чтобы максимизировать характеристики лазера.
Исполнительный председатель BluGlass Джеймс Уокер сказал: «Это важная проверка потенциала наших уникальных технологий RPCVD и туннельных соединений. Это достижение является свидетельством усилий нашей передовой команды по разработке ряда инновационных лазерных диодов, включая эту первую в мире демонстрацию лазеров с двумя n-волнами. Это может изменить способ изготовления лазерных диодов, что поможет вывести лазеры на GaN в новую эру.
«Несмотря на то, что эти новые лазеры нуждаются в значительной доработке перед запуском будущих продуктов с улучшенными характеристиками RPCVD; при разработке наших значительно более продвинутых стандартных лазерных диодов (MOCVD) мы по-прежнему сосредоточены на решении вопросов надежности и улучшении нашего последующего производства перед запуском коммерческих продуктов для ожидающих клиентов ».
