SweGaN привлекает 12 млн евро в рамках финансирования серии A для расширения производственных мощностей

112

4 октября 2022 г.

Компания SweGaN AB из Линчепинга, Швеция, которая производит на заказ эпитаксиальные пластины нитрида галлия на карбиде кремния (GaN-на-SiC) (на основе уникальной технологии выращивания) для телекоммуникационных, спутниковых, оборонных и силовых приложений, завершила раунд финансирования серии A. на общую сумму 125 млн шведских крон (12 млн евро). Финансирование проводилось совместно Intertech Ventures, Mount Wilson Ventures и европейским инвестором Atlantic Bridge при участии STOAF из Швеции и глобальной полупроводниковой компании MediaTek, формирующей глобальную сеть, охватывающую США, Тайвань и Европу. Фред Чанг из InterTech Ventures, Дэвид Лэм из Atlantic Bridge и исполнительный директор по производству полупроводников Уолтер Вольмут вошли в совет директоров SweGaN.

SweGaN считает, что производительность ее процесса эпитаксии GaN открывает новые области применения на многомиллиардных рынках радиочастот (RF) и электроэнергии на основе GaN. Утверждается, что благодаря запатентованным эпипластинам GaN-on-SiC без буфера QuanFINE клиенты могут достичь уровня производительности и надежности устройства, ранее недостижимого с обычными материалами, доступными на рынке. Фирма имеет более 30 платежеспособных клиентов и имеет квалификацию для широкого спектра приложений в Европе, США и Азии.

Инвестиции позволяют SweGaN значительно увеличить производственные мощности для удовлетворения рыночного спроса со стороны основных поставщиков базовых станций 5G, военных радаров, низкоорбитальной спутниковой связи и бортовых зарядных устройств для электромобилей (EV). Кроме того, финансирование расширяет планы фирмы по расширению исполнительной команды и увеличению числа инженеров, специалистов по продажам и производству.

В связи с инвестициями с 1 сентября генеральным директором был назначен технический директор Jr-Tai «Ted» Chen (который стал соучредителем SweGaN в 2014 году и изобрел собственную технологию QuanFINE), заменив председателя Джонаса Нильссона (который был временным генеральным директором). с осени 2020 года).

«Я с нетерпением жду продолжения нашей совместной работы для реализации стратегии, видения и перспективных целей SweGaN по обслуживанию отрасли с помощью лучшей технологии GaN-on-SiC, доступной на рынке», — говорит Нильссон. «С момента основания SweGaN Тед продемонстрировал замечательную решимость, энтузиазм и профессиональный рост, и у него есть все необходимое для того, чтобы возглавить SweGaN в этой следующей главе ее пути к тому, чтобы стать доминирующим игроком на рынке GaN-on-SiC», — добавляет он.

«По мере того, как мы переходим от кремния к третьей волне полупроводниковых материалов, GaN и SiC готовы доминировать», — считает Дэвид Лам, генеральный партнер Atlantic Bridge. «Революционная технология SweGaN-GaN-on-SiC объединяет эти два ключевых материала для обеспечения таких характеристик радиочастот и мощности, которых сегодня просто невозможно достичь», — добавляет он.

«Этот раунд стратегического финансирования позволяет нам поднять SweGaN на новый уровень и дальше в нашем пути роста и дает нам возможность реализовать видение и стратегию SweGaN», — говорит Джр-Тай Чен. «Для удовлетворения растущего рыночного спроса дорожная карта SweGaN нацелена на строительство новых производственных мощностей и расширение нашей команды для ежегодной поставки десятков тысяч эпивафель», — добавляет он.

«Мы очень рады приветствовать опытного инвестора в области полупроводников Atlantic Bridge и глобального лидера полупроводниковых технологий MediaTek в качестве инвесторов в SweGaN», — комментирует Ричард Вейл, генеральный партнер Mount Wilson Ventures. «Мы были рады поддержать SweGaN на ранних этапах разработки и коммерциализации ее ведущей в отрасли эпитаксиальной технологии. Теперь, благодаря этому финансированию, SweGaN имеет доступ к финансовым ресурсам и отраслевому опыту, которые необходимы для выхода на новый уровень».

GaN-на-SiC HEMT Эпитаксиальные пластины

www.swegan.se

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь