Получите высокую мобильность и высокую стабильность в TFT дисплеев

Транзистор с нижним затвором состоит из двух слоев:

По данным Китайской академии наук, рядом с изолированным оксидом кремниевым затвором находится слой переноса заряда (CTL), состоящий из богатого индием InSnZnO, «обладающий большими средними эффективными координационными числами для всех катионов и многочисленными структурами с общими краями для повышения подвижности». наук (CAS), частью которого является NMITE. Вторую половину двойного слоя образует слой релаксации заряда (CRL), изготовленный из InSnZnO, легированного празеодимом, «который может значительно сократить время жизни фотоэлектронов, облегчая стабилизацию напряжения освещения при отрицательном смещении».

Устойчивость к температурным нагрузкам при положительном смещении поощряется за счет использования не менее 20 нм CTL, обеспечивающего однородность осаждения на большой площади.

Показатели стабильности составляют -1,64 В для отрицательного сдвига освещения и напряжения смещения и +760 мВ для положительного сдвига температурного напряжения смещения.

«Эта стратегия предоставила многообещающий путь для разрешения конфликта мобильности и стабильности для высококачественных дисплеев, способствуя дальнейшим исследованиям и разработкам, связанным с TFT», — говорится в сообщении CAS.

NIMTE работал с Университетом Сунь Ятсена.

Работа описана в ‘Решение конфликта между мобильностью и стабильностью оксидных тонкопленочных транзисторов‘, опубликованном в Advanced Science.

Согласно этой статье, ожидается, что IGZO TFT не превысят ~40 см.²Мобильность /V/s необходима для дисплеев 8K с частотой 240 Гц.

Вышеупомянутое требование стабильности исходит из необходимости иметь стабильный порог транзистора для предсказуемой работы дисплея, который выше 0 В, но не намного выше 0 В, чтобы свести к минимуму потребность в энергоемких высокоамплитудных управляющих сигналах. Чем стабильнее порог, тем меньше потребность в дополнительной амплитуде на всякий случай.