МОП-транзистор 55 мОм 600 В в размере 10 x 12 мм

TK055U60Z1 является первым из серии DTMOSVI на 600 В, уже есть некоторые детали DTMOSVI на 650 В.

Rds(on) — это улучшение на 13% по сравнению с аналогичными устройствами из более ранней серии DTMOSIV-H, заявила компания, а Rds(on) x Qgd улучшено примерно на 52%.

Поскольку техпаспорт еще не опубликован, предостережения, связанные с этими цифрами, не могут быть включены здесь.

Дополнительные характеристики, которые были раскрыты, включают максимальную температуру канала 150°C, типичное значение Rds(on) 47 мОм при 10 Вgs и типичные значения заряда: 65 нКл общий затвор и 15 нКл затвор-сток, плюс входная емкость 3,7 нФ. «Эти факторы позволят новому устройству переключаться с максимально возможной скоростью», — заявила Toshiba, чему способствует отдельное подключение к источнику Кельвина для управления воротами.

Еще одно примечание на упаковке, добавил он, гласило: «Применяемая форма выводов обеспечивает правильное соединение припоем, повышает надежность монтажа и упрощает визуальный осмотр».

На затворе можно допустить ±30 В по отношению к истоку, максимальный ток стока составляет 40 А, а допустимая мощность до 270 Вт.

Предусматривается применение в импульсных источниках питания в центрах обработки данных, стабилизаторах напряжения для фотоэлектрических генераторов и системах бесперебойного питания.

Хотя лист данных еще не связан, дополнительная информация можно найти на странице продукта TK055U60Z1