«Показатель качества Qgate.Rds(on) уже давно находится в центре внимания производителей полупроводников, стремящихся повысить эффективность переключателей MOSFET», — говорится в сообщении компании. «Однако неуклонное снижение этой цифры привело к непреднамеренным последствиям в виде увеличения уровня всплесков при переключении MOSFET. Определив это как возникающую проблему, Nexperia начала исследовать, как изменение других технологических параметров может помочь в ее решении».
Результатом стала серия 80- и 100-вольтовых полевых МОП-транзисторов с более низким Qrr (заряд обратного восстановления), которые уменьшают выбросы во время переключения, «при этом демонстрируя такие же высокоэффективные характеристики, как и конкурирующие МОП-транзисторы», говорится в сообщении.
Первоначально они были доступны в Nexperia LFPAK56E, корпусе SOT1023 размером 5 x 6 мм.
Теперь он добавил опции в немного меньший LFPAK56 (SOT669) и значительно больший LFPAK88 (SOT1235 8 x 8 x 1,6 мм).
Случайно выбрав PSMN2R8-80SSF 80 В, 2,8 мОм, 190 А, его корпус размером 8 x 8 мм обеспечивает максимальное сопротивление перехода к монтажной базе 0,44 кОм/Вт.
Для справки, диод исток-сток Qr (восстановленный заряд) составляет 47 нКл (25 А, -100 А/мкс, 0 Вг, 40 Вд).
Тот же показатель для LFPAK56 (меньше 5 x 6 мм), 100 В, 11,8 мОм, 65 А PSMN012-100YSF составляет 1,16 кОм/Вт (1,04 кОм/Вт тип.).
Диод исток-сток Qr (восстановленный заряд) здесь составляет 20 нКл (25 А, -100 А/мкс, 0 Вг, 50 Вд, 25°C переход).
Предусматривается применение в телекоммуникациях, серверах, промышленности, зарядных устройствах, USB-PD и управлении двигателями.
Целый Семейство 80 В и 100 В с низкими выбросами можно найти здесь.
Читать полную новость на сайте
