Флэш-память 1 Тбит от Kioxia и Western Digital

Совместно разработанная технология CBA (CMOS, непосредственно связанная с массивом) позволяет оптимизировать и производить отдельно пластины CMOS и пластины массива ячеек, а затем соединять их вместе в пакет для обеспечения высокой битовой плотности и высокой скорости ввода-вывода — заявлено 3,2 Гбит/с для последний.

«Благодаря нашему инженерному партнерству мы выпустили флэш-память BiCS восьмого поколения с самой высокой плотностью битов в отрасли», — сказал технический директор Kioxia Масаки Момодоми. «Применяя технологию CBA и масштабирование, мы усовершенствовали нашу флэш-память для использования в приложениях, включая смартфоны, устройства IoT и центры обработки данных».