Работающий на частотах от 2,8 до 3,3 ГГц, он был разработан совместно с нидерландской исследовательской организацией TNO, которая, по данным Altum, более 30 лет занимается исследованием мощных усилителей с фазированной решеткой, и тайваньской компанией Win Semiconductors, чей NP45-11 50V 0,45 Процесс литья мкм RF GaN-on-SiC HEMT был изготовлен чип.
«Для меня большая честь сотрудничать с этими двумя организациями. Мы с нетерпением ждем промышленного внедрения этой технологии для радаров S-диапазона», — сказал вице-президент Altum по маркетингу Нильс Крамер, добавив: «Altum RF продолжает расширять наш портфель продуктов от X-диапазона и выше».
Еженедельник Electronics запросил дополнительную техническую информацию — следите за этим пространством.
Уже. Altum только сказал, что имеет встроенную влагозащиту, позволяющую использовать пластиковую упаковку.
