Исследовательская группа из Университета науки и технологий им. Короля Абдаллы (KAUST) объявила о своих достижениях в производстве красных светодиодов InGaN с максимальной длиной волны 665 нм, а также с улучшенной мощностью светового потока и внешней квантовой эффективностью. Считается, что их достижение поддерживает более эффективный процесс разработки полноцветного микро светодиодного дисплея.
(Изображение: KAUST)
По словам Казухиро Охкава, лидера исследовательской группы, одной из проблем Micro LED-дисплеев является изготовление красных светодиодов с GaN, что считается практически невозможным. Красный цвет на микро светодиодном дисплее обычно производится путем преобразования цвета или на основе различных материалов и с большим количеством дефектов. Замена большой части галлия элементом индий также может дать желаемый красный цвет, но это трудно сделать, потому что индий легко испаряется из кристалла.
Однако команде KAUST удалось разработать систему выращивания кристаллов для реализации чисто красных светодиодов. Они создали реактор с дополнительным паром индия над поверхностью кристалла, процесс, известный как металлоорганическое парофазное осаждение. Это добавленное давление предотвращает выход индия в кристалле. «Это дает нам более высокую концентрацию индия на поверхности», – сказал Окава.
(Изображение: KAUST)
Команда также добавила алюминий, который имеет маленькие атомы, чтобы уменьшить нагрузку на кристалл для более низких дефектов кристалла, создаваемых Индием, улучшая качество выходного света. Кроме того, красные светодиоды могут работать при напряжении 3,3 В, только наполовину по сравнению с другими красными светодиодами.
Результат был опубликован в Applied Physics Express в феврале 2020 года.
,
