5 октября 2022 г.
Компания STMicroelectronics из Женевы, Швейцария, построит интегрированный завод по производству подложек из карбида кремния (SiC) в Италии, чтобы удовлетворить растущий спрос клиентов на устройства SiC для автомобильных и промышленных приложений по мере их перехода к электрификации и стремления к повышению эффективности. Ожидается, что производство начнется в 2023 году, что позволит обеспечить сбалансированные поставки подложки SiC между внутренними и коммерческими поставками.
Инвестиции в размере 730 млн евро в течение пяти лет будут поддержаны государством Италии в рамках Национального плана восстановления и обеспечения устойчивости и создадут около 700 прямых дополнительных рабочих мест при полной застройке.
Построенный на заводе ST в Катании в Италии рядом с существующим предприятием по производству SiC-устройств, завод по производству SiC-подложек станет первым в Европе предприятием по серийному производству эпитаксиальных SiC-подложек диаметром 150 мм, объединяющим все этапы производства. производственный поток. ST заявляет, что намерена разрабатывать пластины диаметром 200 мм.
ST говорит, что проект субстрата Catania является ключевым шагом в продвижении стратегии вертикальной интеграции для ее бизнеса SiC. Крупносерийные продукты фирмы STPOWER SiC в настоящее время производятся на заводах в Катании и Анг Мо Кио в Сингапуре. Сборка и тестирование выполняются на серверных площадках в Китае (Шэньчжэнь) и Марокко (Бускура). Инвестиции в предприятие по производству подложек из карбида кремния основаны на этом и считаются важной вехой на пути ST к достижению 40% внутренних источников подложек к 2024 году.
«ST трансформирует свои глобальные производственные операции, добавляя дополнительные мощности в производство 300 мм и уделяя особое внимание широкозонным полупроводникам, чтобы поддержать свои амбиции по выручке в размере более 20 миллиардов долларов», — говорит президент и главный исполнительный директор Жан-Марк Шери. «Мы расширяем нашу деятельность в Катании, центре нашего опыта в области силовых полупроводников, где мы уже интегрировали исследования, разработку и производство карбида кремния в тесном сотрудничестве с итальянскими исследовательскими организациями, университетами и поставщиками», — добавляет он. «Этот новый объект будет иметь ключевое значение для нашей вертикальной интеграции в SiC, укрепляя наши поставки подложек SiC, поскольку мы продолжаем наращивать объемы, чтобы поддержать наших клиентов в автомобильной и промышленной сфере в их переходе на электрификацию и более высокую эффективность».
Катания долгое время была важным местом для инноваций для ST, поскольку здесь находятся ее крупнейшие исследования и разработки SiC и производственные операции, способствующие разработке новых решений для производства большего количества и более качественных устройств SiC. Благодаря устоявшейся экосистеме, ориентированной на силовую электронику, включая долгосрочное сотрудничество между ST и различными заинтересованными сторонами (университет, CNR — итальянский национальный исследовательский совет, компании, занимающиеся производством оборудования и продукции), а также большую сеть поставщиков. Инвестиции призваны укрепить роль Катании как глобального центра компетенций в области технологии карбида кремния и расширить возможности для дальнейшего роста.
Кри | Wolfspeed и ST расширяют соглашение о поставке 150-мм пластин SiC до более чем 800 млн долларов
ST производит свои первые 200-миллиметровые пластины из карбида кремния
ST приобретает оставшиеся 45% акций производителя пластин из карбида кремния Norstel AB
/cloudfront-us-east-2.images.arcpublishing.com/reuters/RM3SQZHQKVPXNBO4CWMIMVUVHM.jpg "Microsoft заявляет, что запускает дата-центр в Польше")
