SiC-мосфеты на 650 В улучшают Rds(on) и Qg

55

Toshiba заявляет о лучшем улучшении сопротивления во включенном состоянии и заряда затвора для своего третьего поколения промышленных 650-вольтовых карбидокремниевых МОП-транзисторов с улучшенным режимом.

По словам компании, «процесс SiC третьего поколения оптимизирует структуры ячеек, используемые в устройствах второго поколения». «В результате произведение Rds(on) и Qg, представляющее как статические, так и динамические потери, улучшилось примерно на 80%».

Как и в более ранних устройствах, для повышения надежности полевые МОП-транзисторы включают SiC-барьер Шоттки с прямым напряжением -1,35 В (тип.) для подавления колебаний Rds(on).

-->
-->

Имеется пять устройств, все в корпусах TO-247: TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C и TW107N65C.

Выбираем флагманский TW015N65C: он рассчитан на абс до 100 А, его сопротивление во включенном состоянии обычно составляет 15 мОм (максимум 21 мОм, Vg = 18 В, Id = 50 А) и заряд затвора обычно составляет 4,85 нФ (Vds = 400 В, Vg = 0 В, 100 кГц). Время нарастания и спада составляет 79 и 59 нс, время включения и выключения — 117 и 116 нс (рис. 6.2.1 в техпаспорте для предостережений).

По словам представителей Toshiba, порог затвора поддерживается на высоком уровне 3,0–5,0 В (Vd = 10 В, Id = 11,7 мА), чтобы сделать полевой МОП-транзистор «менее подверженным сбоям».

Предусматривается применение в импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания для серверов, центров обработки данных и коммуникационного оборудования, а также в фотогальванических инверторах и двунаправленных зарядных устройствах для электромобилей.

Страница продукта TW015N65C находится здесь откуда можно скачать техпаспорт.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь