SiC-диод Шоттки/pn, 10 А, 650 В, общий заряд 15 нКл

195

Компания, получившая название PSC1065K, не публикует свои полные технические данные — в кратких данных указан общий емкостной заряд 15 нКл (Vr = 400 В, 200 А/мкс, Tj = 150 °C), но не прямое напряжение.

Это один из «объединенных диодов Шоттки» компании PiN.

«Дефекты на границе раздела металл-полупроводник ответственны за токи утечки в SiC-диодах Шоттки», — говорится в сообщении компании. «Хотя их можно уменьшить, используя более толстый дрейфовый слой, недостатком этого является более высокое омическое и тепловое сопротивление».


Объединенная структура «эффективно сочетает в себе диод Шоттки и p-n-диод, соединенные параллельно», поясняется в нем. «Области с p-легированием имплантируются в дрейфовую зону обычной структуры Шоттки, образуя p-омический контакт с металлом на аноде Шоттки и p-n-переход со слегка легированным дрейфом SiC или эпи-слоем».

При обратном смещении p-ямы толкают общую область максимальной напряженности поля вниз, в «почти бездефектный» дрейфовый слой, как говорится, подальше от металлического барьера с его дефектами, уменьшая общий ток утечки.

Расположение и площадь p-ямы по сравнению с размером диода Шоттки и концентрацией легирования влияют на конечные характеристики, при этом прямое падение напряжения компенсируется токами утечки и импульсными токами.

«В результате устройство MPS может работать при более высоком напряжении пробоя при том же токе утечки и толщине дрейфового слоя», — сказали в Nexperia.

В стадии разработки находятся аналогичные устройства в большем корпусе TO-247-2 для сквозных отверстий, а также версии DPAK R2P и D2PAK R2P для поверхностного монтажа, а затем детали автомобильного класса на 650 В и 1,2 кВ.

Предусматривается применение в зарядке аккумуляторов, источниках бесперебойного питания и фотогальванических инверторах.

Читать полную новость на сайте