Navitas запускает микросхемы управления GaNSense

22 марта 2023 г.

Компания Navitas Semiconductor из Торранса, Калифорния, США, специализирующаяся на разработке силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), выпустила семейство управляющих ИС GaNSense, которые обеспечивают беспрецедентный уровень производительности и интеграции.

Для энергосистем требуется оптимизированный высокоскоростной низковольтный (LV) кремниевый системный контроллер, который компания Navitas разработала и интегрировала со своими высокопроизводительными ИС GaN для создания первой технологии ИС управления GaNSense.

Начальный диапазон GaNSense Control включает высокочастотные квазирезонансные (HFQR) обратноходовые сигналы, поддерживающие QR, DCM (прерывистый режим проводимости), CCM (непрерывный режим проводимости) и многочастотные гибридные операции с частотами до 225 кГц. Линейка представлена ​​в одном корпусе QFN для поверхностного монтажа (серия NV695x) или в виде набора микросхем (NV9510x + NV61xx) для максимальной гибкости дизайнера. На вторичной стороне встроенные силовые ИС синхронного выпрямителя (SR) (NV97xx) обеспечивают максимальную эффективность при любых условиях нагрузки по сравнению с обычными выпрямителями.

Интегрированные функции, такие как измерение тока без потерь, запуск высокого напряжения (HV), скачкообразная перестройка частоты, низкая мощность в режиме ожидания и широкий диапазон напряжения.ДД входное напряжение позволяет создавать небольшие, эффективные, охлаждающие системы с меньшим количеством компонентов и без RСМЫСЛ горячая точка. По словам Navitas, набор встроенных функций защиты, включая переходное напряжение 800 В, защиту от электростатического разряда 2 кВ, защиту от перенапряжения, перегрузки по току и перегрева, создает надежную силовую ИС и надежные системы питания.

Первоначальные приложения охватывают 20–150 Вт, включая зарядные устройства для смартфонов, планшетов и ноутбуков, бытовую и бытовую технику, торговые точки и вспомогательные источники питания в мощных центрах обработки данных и системах электромобилей (EV) 400 В. Уже отгружено более миллиона единиц.

«Стратегическое добавление технологии высокоскоростных аналоговых и смешанных кремниевых контроллеров к нашим существующим технологическим платформам GaN, SiC и цифровых изоляторов создает основу для проектирования оптимизированных систем питания, добавляя более 1 миллиарда долларов в год к адресуемым рыночным возможностям», — говорится в сообщении. главный операционный директор / технический директор и соучредитель Дэн Кинзер. «Мы начинаем с GaNSense Control для устройств быстрой зарядки и бытовой техники, а также для вспомогательных устройств в серверах и центрах обработки данных. В будущем мы можем расширить портфолио для решения более мощных приложений в области возобновляемых источников энергии, хранения энергии и электромобилей», — добавляет он. «Navitas имеет уникальную возможность влиять на решения клиентов по архитектуре благодаря нашим передовым центрам проектирования систем на этих рынках. Благодаря этому мы можем максимизировать системные преимущества и ценность Navitas, независимо от того, используете ли вы GaN или SiC в силовой электронике следующего поколения».

Navitas приобретает оставшуюся долю в СП IC по управлению кремнием

Navitas приобретает VDD Tech для расширения мощностей полупроводников нового поколения

GaN Силовая электроника

www.navitassemi.com