Nanusens делает шаг к интеграции CMOS для своего датчика MEMS

«Это означает, что как структура датчика, так и схема его обнаружения могут быть созданы одновременно внутри микросхемы с использованием стандартных процессов CMOS на любом требуемом технологическом узле», — заявили в британской компании Devon. «В результате теперь можно изготавливать ASIC со встроенными в них несколькими различными датчиками».

Датчики все инерционные, с подвешенной массой.

Поскольку это цифровая схема, ее можно масштабировать до узла процесса, используемого для структуры датчика, добавил Нанусенс.

По словам компании, средний ток менее мкА будет потребляться 180-нм воплощением этой ИС, потому что схема может работать с низким рабочим циклом, выходя из спящего режима через 3 мкс.

«Мы уже ведем переговоры с компаниями, которые хотят лицензировать эту интеллектуальную собственность», — сказал соучредитель Хосеп Монтанья.

Датчики компании построены из металлов BEOL (задняя часть линии) ИС, освобожденных путем травления окружающих оксидных слоев.

Компания Nanusens со штаб-квартирой в Пейнтоне имеет офисы исследований и разработок в Барселоне и Шэньчжэне. Его исследования продолжаются в Baolab Microsystems, предыдущей компании основателей.