Это формализует стратегическое соглашение о развитии бизнеса на азиатском рынке с использованием опыта SK siltron в области субстратов с возможностями эпитаксии IQE.
IQE и SK siltron разработают и поставят эпипластины на основе GaN на SiC для радиочастотных приложений на рынке беспроводной связи и GaN на Si для приложений силовой электроники на различных рынках.
В совокупности эти рынки представляют собой многомиллиардные возможности для устройств GaN, и прогнозируется сильный рост потребительских, телекоммуникационных и автомобильных приложений.
«Существует огромная синергия между родословной IQE GaN и предложениями SK siltron в области подложек, и мы будем использовать их для вывода на рынок инновационных решений», — говорит генеральный директор IQE Америко Лемос (на фото). «Расширение в Азии является ключевым направлением для IQE, и мы рады быть партнером всемирно признанного лидера в области передовых материалов.
Недавно IQE подписала соглашения с различными партнерами: с Porotech в качестве партнера по литью подложек, предоставляющего GaN MOCVD; с Lumentum для подачи пластин; с imec для разработки GaN-на-Si; и с MICLEDI для совместной разработки микродисплеев
/cloudfront-us-east-2.images.arcpublishing.com/reuters/IEEU4QTF6ZJJ7GOR6EYUSWBUC4.jpg "Wix.com израильский сообщает о результатах третьего квартала и говорит, что дела идут как обычно")
