Infineon самостоятельно производит GaN-транзисторы на 600 В

«Портфолио дискретных и интегрированных устройств силового каскада предоставляет разработчикам необходимую гибкость для удовлетворения их конкретных потребностей в промышленных приложениях в соответствии со стандартами JEDEC JESD47 и JESD22», — говорится в сообщении компании.

Доступны в корпусах DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81- и TSON-8, значения Rds(on) находятся в диапазоне от 42 до 340 мОм макс.

В полумостах два GaN-переключателя размещены в корпусе TIQFN-28 с Rds(on) = 190 – 650 мОм max (x2).

Одноканальные типы в TIQFN-21 с улучшенными тепловыми свойствами, диапазон 130 – 340 мОм.

Доступны корпуса с охлаждением как сверху, так и снизу, совместимые с JEDEC (например, DSO-20-87 и DSO-20-85 соответственно).

«Блокы питания TSC уникальны на рынке и отвечают более высоким требованиям к мощности, — заявила Infineon, — хотя в спецификациях для IGOT60R042D1 (T = верхнее охлаждение) и IGO60R042D1 (нижнее охлаждение) в только что упомянутых корпусах указана точно такая же номинальная мощность 250 Вт (25 °C) и сопротивление переход-корпус 0,5°C/Вт. Electronics Weekly спросил Infineon, что здесь происходит.

Предусматривается применение в серверных, телекоммуникационных и солнечных блоках питания, а также в потребительских зарядных устройствах и адаптерах, моторных приводах, телевизорах, мониторах и светодиодном освещении.

Детали см. на стенде Infineon на выставке PCIM.