Исследователи из IBM и ASMPT разработали новый способ соединения чиплетов, в котором медь и оксид сплавляются слоями толщиной всего в несколько атомов без использования припоя.
В результате соединение между чиплетами составляет всего около 0,8 микрона, по сравнению с 150-30 микронами, достигаемыми с помощью припоя или комбинации припоя и меди, расположенных поверх металлической площадки.
Это имеет значение для интеграции технологии чипсетов, например, в устройства меньшего размера, а также для повышения производительности чиплетов или их энергоэффективности.
В методе команды самой сложной задачей было обеспечить надежное соединение, удаляя потенциальную влагу или пузырьки воздуха в ничтожном масштабе. Всего трех молекул воды между связующими слоями было бы достаточно, чтобы разорвать связь между слоями.
Устранение этой опасности вместе с пузырьками воздуха при поддержании чистоты поверхностей для склеивания слоев — и обеспечение того, чтобы этот процесс можно было надежно выполнять снова и снова — были основными проблемами, которые команда стремилась преодолеть в своих исследованиях.
Читать полную новость на сайте