Epistar выделит подразделение по производству VCSEL и GaN-on-Si

1
<pre>Epistar выделит подразделение по производству VCSEL и GaN-on-Si

Производитель светодиодных чипов Epistar сообщил о решении компании создать побочный продукт, чтобы сосредоточиться на VCSEL (лазер с поверхностным излучением с вертикальной полостью) и GaN на производстве компонентов Si. Этот побочный продукт будет называться Epistar Semiconductor. М. Дж. Чоу, нынешний президент Epistar, станет президентом новой дочерней компании.

Дочерняя компания будет полностью принадлежать Epistar с капиталом в 1 млрд. NT $ (33 млн. Долларов США). Кроме того, он возьмет на себя задачи по предоставлению сторонних эпитаксиальных пластин VCSEL и микросхем GaN-on-Si для применений 3D-датчиков и силовых компонентов. С выделением Epistar стремится повысить эффективность производства путем разделения рабочих мощностей и распределения ресурсов. Тем временем Epistar продолжит фокусироваться на мини-светодиодных и микро-светодиодных.

Запуск Epistar Semiconductor запланирован на 1 октября 2018 года, и он начнет выпускать 4-дюймовые пластины VCSEL для компонентов передачи данных и 6-дюймовые пластины для 3D-датчиков. Ожидается, что к 4 кварталу компания примет заказы от клиента 3D-датчика и может начать получать прибыль в следующем году.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Введите комментарий
Введите свое имя