AIXTRON представляет новое решение G10-SiC 200 мм для эпитаксии карбида кремния

DGAP-Media / 13.09.2022 / 07:30 CET/CEST AIXTRON представляет новое поколение продуктов G10‑SiC 200 мм для эпитаксии карбида кремнияГерцогенрат, 13 сентября 2022 г. — AIXTRON SE представила новую систему G10-SiC 200 мм для крупносерийного производства силовых устройств на основе карбида кремния (“SiC”) последнего поколения

DGAP-Media / 13.09.2022 / 07:30 CET/CEST

AIXTRON представляет новое поколение продуктов G10‑SiC 200 мм для эпитаксии карбида кремния

Герцогенрат, 13 сентября 2022 г. — AIXTRON SE запустила новую систему G10-SiC 200 мм для крупносерийного производства силовых устройств из карбида кремния («SiC») последнего поколения на пластинах SiC 150/200 мм. Об этой высокотемпературной системе CVD, выводящей инновации на новый уровень, только что было объявлено на Международной конференции по карбиду кремния и родственным материалам (ICSCRM), которая в настоящее время проходит в Давосе, Швейцария. Широкозонный материал SiC должен стать основной технологией для эффективной силовой электроники. SiC вносит существенный вклад в обезуглероживание нашего современного общества и, таким образом, поддерживает защиту климата. В связи с растущим внедрением силовых полупроводников на основе карбида кремния в решения для электромобилей мировой спрос на пластины карбида кремния быстро растет, чему еще больше способствует стремление снизить зависимость от поставок нефти.

Новая система G10-SiC построена на нашей хорошо зарекомендовавшей себя платформе G5 WW C 150 мм и обеспечивает гибкую конфигурацию двух пластин размером 9×150 и 6×200 мм. Эта функция играет важную роль в переходе производства SiC от диаметра пластин 150 мм (6 дюймов) к 200 мм (8 дюймов). Новая платформа построена на основе нашего проверенного решения для автоматической загрузки пластин из кассеты в кассету с высокотемпературным переносом пластин. В сочетании с высокими технологическими возможностями G10-SiC обеспечивает лучшую в своем классе производительность пластин и производительность на квадратный метр, что позволяет эффективно использовать ограниченное пространство чистых помещений, доступное на полупроводниковых фабриках.

AIXTRON G10-SiC поддерживает большое разнообразие структур устройств, в т.ч. структуры с одним и двумя дрейфовыми слоями, отвечающие строгим требованиям к однородности на расстоянии 150 мм и сигма-значениям менее 2% для легирования и толщины. Автоматическая загрузка пластин сводит к минимуму риск дефектов частиц, в результате чего обычное количество дефектов составляет

«Это действительно высокопроизводительная система нового поколения. Новая конфигурация с двумя размерами пластин полностью поддерживает переход от сегодняшней технологии 150-мм пластин и защищает инвестиции наших клиентов в будущем. Обладая самой высокой пропускной способностью, доступной на сегодняшний день в этом форм-факторе, он максимально увеличивает производительность фабрик и возможность еще более быстрого наращивания», — говорит д-р Франк Вишмайер, вице-президент SiC AIXTRON. В то же время недавно разработанное решение для контроля температуры верхней стороны пластин (TTC) на месте оптимизирует управление процессом на уровне пластин как в рамках партии, так и от партии к партии. Это приводит к предсказуемой высокой производительности, соответствующей жестким производственным спецификациям при конкурентоспособном уровне затрат», — добавляет д-р Вишмайер.

Однородность эпитаксиального слоя необходима для достижения высокого выхода на уровне устройства. Высокая производительность системы в сочетании с низкими затратами на потребление в расчете на обрабатываемую пластину обеспечивает самую низкую стоимость в расчете на одну пластину в отрасли.

«Мы гордимся тем, что можем предоставить нашим партнерам по всему миру еще одно решение, которое сочетает в себе высокие промышленные стандарты и огромные климатические эффекты. Положительные отзывы наших партнеров и клиентов после оценки и производственной квалификации нашей новой системы G10-SiC уже вызвали дополнительный интерес клиентов», — говорит д-р Феликс Граверт, генеральный директор и президент AIXTRON SE.

«G10-SiC становится важным строительным блоком для расширения производства наших клиентов по всему миру, и мы стремимся поддерживать это масштабирование с помощью нашего системного производства, обслуживания и технологической поддержки», — заключает д-р Граверт.