1,2 кВ 80 мОм SiC MOSFET поставляется в TO247-4

По словам компании, его корпуса, получившие название DMWS120H100SM4, передают тепло со скоростью 0,6 °C/Вт, «что делает его хорошо подходящим для приложений, работающих в суровых условиях».

Rds(on) обычно составляет 80 мОм (Vg=15 В, 100 мОм макс), а заряд затвора обычно составляет 52 нКл (-4/+15 Вg, 800 Вd, 20Ad).

Его максимальная емкость 37 А при 25 ° C, которая снижается до 23,5 А при 100 ° C.

Упаковка — TO247-4, что позволяет использовать четвертый контакт (подключенный к источнику) для улучшения точности управления затвором.

Страницу продукта DMWS120H100SM4 можно найти здесь.